2022年中国储能逆变器产业链上中下游市场预测分析(附产业链全景图)
来源:中商产业研究院 发布日期:2022-04-08 17:19
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二、上游

(一)IGBT

IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的「CPU」。

1、IGBT市场供需

中国已经成为全球最大的IGBT市场,近年来IGBT产量及需求量持续增长。2021年我国IGBT行业产量将达到0.26亿只,需求量约为1.32亿只。预计2022年我国IGBT行业产量将达到0.41亿只,需求量约为1.56亿只。

数据来源:Yole、中商产业研究院整理

2、IGBT竞争格局

由于IGBT对设计及工艺要求较高,而国内缺乏IGBT相关技术人才、工艺基础薄弱且企业产业化起步较晚,因此IGBT市场长期被大型国外跨国企业垄断。自2015年以来,我国IGBT自给率超过10%并逐渐增长,预计2024年我国IGBT自给率将达40%。基于国家相关政策中提出核心元器件国产化的要求,国产替代成为国内IGBT行业的发展趋势。

数据来源:Yole、中商产业研究院整理

目前,国内IGBT市场主要由英飞凌、三菱电机、富士电机等海外厂商占据。中国IGBT市场占比前三的分别是英飞凌、三菱电机和富士电机。其中占比最高的是英飞凌,为15.9%。

数据来源:中商产业研究院整理

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