砷化镓(gallium arsenide)是一种重要的半导体材料,化学式GaAs,属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。黑灰色固体,熔点1238℃。它在600℃以下,能在空气中稳定存在,并且不被非氧化性的酸侵蚀。属闪锌矿型晶格结构,晶格常数5.65×10-10m,禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓材料的应用领域主要分为微电子领域和光电子领域。而生产GaAs的原材料主要有Ga(镓)、As(砷)、Al2O3(氧化铝)、B2O3(氧化硼);其中,Ga(镓)是最为可贵的原材料。砷化镓广泛运用于高频及无线通讯(主要为超过1G H z以上的频率).适于制做IC器件。所制出的这种高频、高速、防辐射的高温器件,通常应用于激光器、无线通信、光纤通信、移动通信、GPS 全球导航等领域。砷化镓除在IC产品应用以外,也可加入其它元素改变能带隙及其产生光电反应,达到所对应的光波波长,制作成光电元件。早在2007年,发光二极管就占据砷化镓大块垫底市场需求39%的最大份额。到2012年光电市场的终端需求的年平均复合增长率(CAAGR)由20%左右增长到79%左右。2013年,全球半绝缘砷化镓的需求量增长不到1%。尽管需求量有所增长,收入还是比2012年减少了5%。近年来,我国GaAs产量总体而言呈现出较快增长的态势;不过近两年来,由于替代品的竞争,产量增长速度有所减缓。2013年,我国GaAs产量达到415吨,同比增长14.01%。2013,我国GaAs销量达360吨,同比增长14.34%,销售额达到12亿元。未来几年,随着我国光电通信等行业继续大力发展。GaAs行业的市场需求潜力依然较大。预测到2018年,我国GaAs市场销售额将接近19亿元。
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