（三）实施专用集成电路设计“强芯”工程。支持提升现有双模导航接收芯片、多模式卫星导航射频接收芯片、多模式卫星导航低噪声放大器芯片、射频识别（RFID）芯片、电源管理芯片、微机电系统（MEMS）芯片等设计水平，推进向高端化、微型化、长寿命、低功耗发展。推动第三代北斗导航高精度芯片、太赫兹芯片、第五代移动通信基站宽带高频段功率放大器和射频前端芯片、卫星移动通信射频终端芯片研发及产业化。支持开发设计面向移动智能终端、网络通信、智能可穿戴设备等芯片，面向云计算、物联网、车联网、大数据等新兴领域的信息处理、传感器、新型存储等关键芯片，面向智能网联汽车、工业控制、金融电子、医疗电子等行业芯片。引导芯片设计企业与汽车、智能仪器仪表、机器人、物联网、轨道交通、第五代移动通信等领域整机企业合作开发和应用，实现自主芯片行业规模应用。力争到2020年，培育孵化芯片设计企业10家以上。（责任单位：省工业和信息化厅、省发展改革委、省科技厅、省商务厅，各市政府）

（四）培育发展专用集成电路制造业。支持专用集成电路优势企业根据自身发展需求，推进芯片设计与制造一体化发展。改造提升现有模拟及数模混合、微机电系统（MEMS）、高压电子、微波射频集成电路等特色专用工艺生产线，不断扩大生产规模。加快推进高端传感器、微机电系统（MEMS）器件、光电器件、半导体激光器、高端射频芯片、探测器芯片、高端晶体振荡器、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）等产品研发和产业化，壮大功率器件和微波集成电路产业，支持嵌入式CPU、智能计算芯片，以及卫星通信、卫星导航一体化芯片研发与产业化，为天地一体化星基通信导航联合应用夯实基础，加快推进8英寸集成微机电系统（iMEMS）研发制造基地、特种气体新材料产业化、碳化硅单晶及外延片产业化、大电流高可靠中低压碳化硅功率器件封装线等重点项目建设。开展半导体内圆切片机、面向先进工艺的刻蚀机、离子注入机等关键设备研发和产业化。（责任单位：省工业和信息化厅、省发展改革委、省科技厅、省商务厅，各市政府）

（五）引进发展集成电路封装测试业。突破高压大功率绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块的封装技术瓶颈，实现高端绝缘栅双极型晶体管（IGBT）封装模块的产业化，推进陶瓷件精密制造工艺、精密组装工艺等技术研发及产业化，提高封装外壳一致性水平，满足第四代、五代移动通信需要。面向京津冀地区集成电路企业高端封装测试需求，引进一批国内外知名集成电路封装测试企业，加快推进芯片测试、检测、封装等生产线建设，支持高端多层陶瓷封装外壳及陶瓷基板生产线扩能升级，稳步扩大市场占有率。大力发展圆片级封装、系统级封装、芯片级封装、硅通孔、三维封装、真空封装等，加快封装测试工艺技术升级和产能提升，推动集成电路封装设备及材料产业化，形成与制造、设计环节发展相适应的配套能力，尽快形成集群优势。（责任单位：省工业和信息化厅、省发展改革委、省科技厅、省商务厅，各市政府）

（六）提升集成电路技术创新能力。巩固提升通信软件与专用集成电路设计国家工程研究中心、砷化镓集成电路和功率器件国家重点实验室、高密度集成电路封装技术国家地方联合工程实验室等国家级研发创新平台建设水平。支持企业加强与国内外集成电路领域知名科研院所及企业合作，建设省级以上重点实验室、企业技术中心、工程（技术）研究中心、工程实验室等研发平台，建立以企业为主体、市场为导向、产学研深度融合的技术创新体系，围绕第五代移动通信、北斗导航、卫星通信、人工智能、量子通信等关键核心芯片，以及第三代半导体材料、高端封装测试材料与设备等关键技术、前沿技术开展研发攻关，突破一批核心技术。（责任单位：省科技厅、省发展改革委、省工业和信息化厅，各市政府）

（七）实施集成电路军民融合发展工程。加快建设邯郸（军民融合）国家级新型工业化产业示范基地和石家庄军民融合产业示范园，积极推进“军转民”，加快省内军工科研单位民品产业化，重点推进电子特气、微机电系统（MEMS）器件、高端传感器及太赫兹芯片、模块，以及第三代北斗导航与位置服务产业链应用等科技成果产业化步伐，积极推动微机电系统（MEMS）器件及高端传感器在汽车电子、工业控制、物联网、智慧城市等领域的应用，第三代北斗导航在雄安新区、2022年冬奥会开展应用。鼓励“民参军”，支持芯片设计、第三代半导体材料等领域具有先进技术的民口单位承担军工科研生产任务，建设带动作用明显的集成电路产业军民融合发展基地。（责任单位：省发展改革委、省科技厅、省工业和信息化厅，各市政府）